我目前正在使用 Arduino Due 板，该板嵌入了 Atmel SAM3X8E 处理器。我使用 Atmel Studio（版本 7.0.1645）和提供的 Atmel 软件框架（版本 3.28.1）对其进行编程。
在 SAM 上运行的程序的目的是获得重新编程功能。因此，程序从主机 PC 获取映像，将其逐块闪存到未使用的闪存组中并验证映像。所有这些都工作正常，但我遇到了与这篇文章相同的问题（Atmel SAM3X 双组切换不起作用).
Atmel SAM3X8E 有两个 256 KB 闪存组：Flash0 和 Flash1。我的应用程序很容易适合 Flash0 并将接收到的图像编程到 Flash1。我的想法是利用 SAM3X 的功能从其他闪存组启动（默认为 Flash0）。 SAM3X 的数据表第 35 页指出，GPNVM 位不仅可用于选择启动存储器（ROM 或闪存），还可用于选择启动存储体（Flash0 或 Flash1）。如果设置了 GPNVM2，μC 将从 Flash1 启动。这是通过重新映射内存布局来实现的。因此，如果设置了 GPNVM2，则 Flash1 会映射到地址 0x0008_0000（而 Flash1 和 Flash0 是连续的）。如果 GPNVM2 被清零，Flash0 被映射到地址 0x0008_0000（现在 Flash0 和 Flash1 是连续的）。
我所做的是在重置处理器之前操作 GPNVM2 位，但它不起作用（内存未正确重新映射）。
我还尝试了 Atmel Studio 的选项。 Atmel Studio 可以使用“项目选项”->“工具”->“程序设置”将应用程序编程到 Bank0 或 Bank1。我尝试使用 Bank1 的这些设置对我的应用程序进行编程。仅当选中“覆盖向量表偏移寄存器 (exception_table)”复选框并且使用“开始调试”对器件进行编程时，才有可能实现这一点。如果设备使用“启动而不调试”进行编程，则它根本不会启动，要启动它（请记住应用程序已闪存到 Bank1，如果重新映射成功，Bank1 应位于地址 0x0008_0000，其中最初 Bank0 映射到）我必须手动更改 GPNVM 位（使用“工具”->“设备编程”工具）以“从 Bank0 启动”。然后就成功了。
所描述的行为告诉我，我一定错过了对某些寄存器的操作。显然“覆盖向量表偏移寄存器（exception_table）”很重要，因此我还将“向量偏移表寄存器（VTOR）”设置为Flash1的起始地址，但这也没有帮助。我感觉我缺少一些必须调用/操作的函数或寄存器。
要重新编程处理器，通常需要运行某种引导加载程序，我希望避免使用存储体切换机制。有人对使用 ASF 功能进行组切换或在 SAM3X 上进行组切换有任何经验吗？
先感谢您！
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