标准数字逻辑IC集成电路可以从工艺、功能和电平三个方面划分，列表所示。
注：常见的逻辑电路有54军用系列和74商用系列，两者电路功能一致，本文仅讨论74系列。
按照制造工艺特点分类：
| 工艺 |
逻辑器件产品族 |
优点 |
不足 |
| Bipolar |
TTL、S、LS、AS、F、ALS、ECL |
速度快，强电流驱动能力，工艺简单。 |
功耗较大，集成度相对较低。 |
| CMOS |
HC、HCT、CD4000、ACL、FCT、LVC、LV、CBT、ALVC、AHC、AHCT、CBTLV、AVC、GTLP |
功耗低、抗干扰能力强，集成度高。 |
输入电流过大（≥40mA）容易造成锁定效应，造成芯片烧毁。 |
| BiCMOS |
BCT、ABT、LVT、ALVT |
高速度，低功耗。 |
工艺极其复杂，造价昂贵。 |
表 1 通用逻辑器件工艺特点
Bipolar：
全用三极管实现电路。是纯种双极工艺，双极工艺的主要特点是速度快，电流驱动能力强。
CMOS：
全用MOS管实现电路。指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间看，要么PMOS导通，要么NMOS导通，要么都截至，比线性的三极管效率要高得多，因此功耗很低，集成度高。
BiCMOS：
既有MOS管，也有三极管。是CMOS和双极器件同时集成在同一块芯片上的技术，其基本思想是以CMOS器件为主要单元电路，而在要求驱动大电容负载之处加入双极器件或电路，可以使电路达到高速度、低功耗。
工艺复杂程度：BiCMOS ＞ Bipolar ＞ CMOS
图1 标准逻辑产品应用示意图
从逻辑产品族角度分析，TTL产品功耗比较大，会慢慢淡出市场。AUP产品功耗最低，AUC产品速度最快。如图1所示，LVC和LV产品应用范围最广，是目前市场上的主流产品。CD4000产品电压范围最大，最高可达15V。
1）按照功能分类：
| 功能 |
逻辑器件 |
应用场景 |
备注 |
| 门电路／反相器 |
与门74X08、与非门74X00、或门74X32、或非门74X02、异或门74X86、反相器：74X04 |
逻辑门电路一般用于控制各种模块及系统间通信，如交换机复位系统中。 |
|
| 触发器 |
J-K触发器、带三态的D触发器74X374、不带三态的D触发器74X74、施密特触发器等。 |
交换机中多用于POE按键切换电路。 |
|
| 选择器 |
2-1、4-1、8-1选择器74X157、74X153、74X151等。 |
解决不同I2C设备的地址冲突，不同I2C共享一个负载。隔离不同电压工作的I2C。 |
|
| 编／译码器 |
2/4、3/8和4/16译码器74X139、74X138、74X154等。 |
/ |
|
| 寄存器 |
串-并移位寄存器74X164、并-串寄存器74X165等。 |
交换机中多用于LED电路。 |
|
| 缓冲驱动器 |
带反向的缓冲驱动器74X240、不带反向的缓冲驱动器74X244。 |
不执行任何运算，输出与输入值一致。使高速工作的IC与慢速工作的外设起协调，同步和缓冲的作用。 |
增强驱动能力。 |
| 收发器 |
寄存器收发器74X245、通用收发器74X245、总线收发器等。 |
/ |
|
| 转换器 |
单向电平转换、双向电平转换和逻辑电平转换。 |
能将较高逻辑电平转换成较低逻辑电平，实现不同工作电压IC连接和数据通讯。 |
|
| 总线开关 |
包括总线交换和通用总线器件等。 |
总线开关在高速数据接口中应用较多，用来导通或者阻隔数字信号。 |
表 2 通用逻辑器件按照使用功能分类
注：74X164中的X代表逻辑产品族。
2）按照电平种类分类
| 电平 |
逻辑器件产品族 |
| 0.8V |
AUC、AUP |
| 1.2V |
AUC、AUP、AVC |
| 1.5V |
AUC、AUP、AVC |
| 1.8V |
ALVC、AUC、AUP、AVC、LVC、LV1T |
| 2.5V |
ALVC、ALVT、AUC、AUP、AVC、CBTLV、LV、LV1T、LV-A、LVC |
| 3.3V |
AC、AHC、ALB、ALVC、ALVT、AUP、AVC、CBLTV、LV、LV-A、LVC、LVT、LV1T、AUP1T |
| 5V |
ABT、AC/ACT、AHC、AHCT、ALS、AS、BCT、CBT、F、LV、LV1T、LV-A、LS、S、TTL、CD4K、FCT2 |
| 5V以上 |
CD4000 |
| 特殊逻辑器件 |
BTL、ETL、GTL、GTLP、HSTL、SSTL、SSTV、TVC、VME、LSF |
表3 逻辑器件产品按电平分类
注：逻辑器件产品族名词解释见3.1.5
3）开关标准的比较
逻辑器件开关标准比较：
图2 开关标准比较
4）逻辑器件性能比较
在对驱动能力和速度要求较高的场合，如高速总线型信号线，可使用ABT、LVT系列。在选择驱动器件的驱动能力和速度时，不能盲目追求大驱动能力和高速的器件，应该选择能够满足设计要求，同时有一定的余量的器件，这样可以减少信号过冲，改善信号质量。并且在设计时必须考虑信号匹配，故选型时应根据产品需求考虑选取最合适的逻辑产品族。
| 逻辑产品族 |
工作电压范围 |
驱动电流 |
速度 |
| AHC（低功耗） |
2.0 V至5.5 V |
4mA（在3.3 V电压下） 8mA（在5 V电压下） |
典型值为150MHz （在5V电压下） |
| LVC（高驱动能力） |
1.65 V至5.5V |
24mA（在3.3V电压下） 32mA（在5.0V电压下） |
典型值为250MHz （在5V电压下） |
| AUP（极低的功耗－在3.3V电压条件下小于0.9μA） |
0.8V至3.6V |
1.9mA（在1.5 V电压下） 4mA（在3.3V电压下） |
典型值为190MHz （在3.3V电压下） |
| AUC（极快的速度） |
0.8V至2.7V |
5mA（在1.5 V电压下） 9mA（在2.5V电压下） |
典型值为350 MHz （在2.5V电压下） |
表4 逻辑产品族工作性能对比
5）逻辑器件技术的介绍
标准逻辑门器件的优势有很多：如带有施密特触发器逻辑门输入允许任意的上升及下降时间斜率；斜漏极开路输出可以实现升压或者降压转换；Ioff能支持热插拔，当VCC处于0V时，Ioff可在输入或者输出端上提供电压。下面主要介绍总线保持输入功能和施密特触发器。
总线保持输入
主要特点：
具有总线保持选项的器件系列：
ABT、ALVC、ALVT、AVC、AUC、FCT、GTL、GTLP、LVC、LVT、VME
图3 总线保持示意图
施密特触发器
大多数CMOS、BICMOS和TTL逻辑器件都要求快速的输入边沿，逻辑器件上电或使用按键开关的时候，慢边沿是不可避免的，当输入缓慢变化的信号，逻辑器件会出现误判动作，这是可以通过施密特触发器来防止此现象。
主要特点：
现有的比较器以一个基准点为基础区分高电平/低电平状态。如果电压在基准点附近晃动，则显示不稳定，输入端有噪声来回多次穿越临界电压时，输出端即受到干扰，其正负状态产生不正常转换。如图4所示，在比较器上加入Feedback电阻，输出电压(Vout)改变了基准电压(Vth)。所谓施密特触发器，就是包含正反馈的比较器电路。
图4 施密特触发器简化模型和阔值电压的设定
施密特触发器采用电位触发方式，其状态由输入信号电位维持；对于负向递减和正向递增两种不同变化方向的输入信号，施密特触发器有不同的阀值电压。如图5所示比较器只有一个临界电压，蓝色圈的杂波噪声穿越了临界电压，当输入电压从低电平上升到阈值电压或从高电平下降到阈值电压时，电路的状态将发生变化。
图5 施密特触发器的使用场景
逻辑门电路相关器件由与门、或门和非门（反相器）以及其组合形态组成，一般用于控制各种模块及系统是网通/数通产品最基础的功能之一，其品质、性能往往与系统的稳定性关联，直接影响产品的品质和性能。针对通用逻辑类器件品类多样、应用各异、品质不一、性能及成本也不尽相同等常见选型困惑及相关疑问，本选型指导旨在为交换机硬件设计在通用逻辑类器件选型评估、测试验收、性能提升、品质加固及成本控制提供全面指导，以实现在最优成本条件下，产品硬件设计选型满足各种复杂的环境考验，提高产品的稳定性、可靠性等综合竞争力。
门电路是用于实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。早期用二极管和三极管搭建的分立门电路，目前应用比较多的是集成门电路。晶体管是构成现代集成电路的基本元件，分为双极晶体管和单极晶体管。
TTL电路，指输入输出级都使用晶体管，由两个PN结组成，双极结型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。图6所示，中间一层称为b基极，e发射集，c集电极。三极管有很多特性，本文只关注开关特性，使其工作在饱和区和截止区就可以满足我们的需求。
图6 PNP型和NPN型三极管
从图7可以看出，TTL与非门电路基本结构由三部分构成：输入级、中间级和输出级。因为电路的输入端和输出端都是三极管结构，所以称这种结构的电路为三极管---三极管逻辑电路。
图7 双极晶体管组成的反相器典型电路
场效应管是单极晶体管，通常用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），也就是我们常说的MOS管作为开关器件。MOS管为压控型有三个极性，源极S（Source）和漏极D（Drain），另外一个电极栅极G（Gain）。MOS管的导通则由G和S极之间的压差决定。MOS管分为NMOS和PMOS两种类型。
图8 MOS晶体管的类型
用这两种功能相对应的晶体管就构成了互补型的MOS集成电路，也简称为CMOS集成电路（Complementary MOS）。图9所示，A端为高电平时，P型管截止，N型管导通，输出端Y的电平与GND保持一致，Y端输出低电平; A端为低电平时，P型管导通，N型管截止，输出端Y的电平与VDD保持一致，Y端输出高电平。由NMOS管和PMOS管组成的非门，也叫反相器。反相器的栅端（G）相连作为输入端，漏断相连作为输出端，NMOS的源端接地，PMOS的源端接电源VDD。
图9 非门原理图与真值表
图10 反相器的电压、电流传输特性
| 电气特性 |
TTL门电路 （以74XX00为例） |
CMOS门电路 （以74XX04为例） |
|
| 74、74S、74LS、74AS、74ALS、74F系列 |
74HC04、 74AHC04 |
74HCT04、 74AHCT04 |
|
| 工作电压范围 |
5.25V |
HC：2~6V AHC：2~5.5V |
4.5~5.5V |
| 输入低电平的上限值 VIL(max) |
0.8V |
1.35V |
0.8V |
| 输出低电平的上限值 VOL(max) |
0.4V |
HC：0.33V AHC：0.44V |
HCT：0.33V AHCT：0.44V |
| 输入高电平的下限值 VIH(min) |
2.0V |
3.15V |
2.0V |
| 输出高电平的下限值 VOH(min) |
74系列2.4V 其余2.7V |
4.4V |
4.4V |
| 输出最低电流 IOL (Max) |
-0.4mA |
CMOS负载：-0.02mA TTL负载：-4mA |
CMOS负载：-0.02mA TTL负载：-4mA |
| 输出最高电流 IOH (Max) |
8mA |
CMOS负载：0.02mA TTL负载：4mA |
CMOS负载：0.02mA TTL负载：4mA |
| ICC (Max) |
0.1~2uA |
0.1~2uA |
0.1~2uA |
| 高电平噪声容限 VNH/V VNH=VOH(min)-VIH(min) |
74系列0.4V 其余0.7V |
1.25V |
2.4V |
| 低电平噪声容限 VNL/V VNL=VIL(max)-VOL(max) |
0.4V |
HC：1.02V AHC：0.91V |
HCT：0.47V AHCT：0.36V |
表 5 典型逻辑器件电气特性
注：以实际的器件手册中的参数为准
电压传输特性：
VCC, Operating Voltage（工作电压）：确保逻辑器件可以正常工作的供电电压范围。
输入和输出特性：
IOH, Output High Drive Current（高电平输出电流）：输出为高电平时，提供给外接负载的输出电流
IOL, Output Low Drive Current （低电平输出电流）：输出为低电平时候，外接负载提供的电流（电流方向从负载流向IC）
输入和输出的高/低电平：
Input Voltages（输入电压）
VIH, Minimum Input High Level（输入高电平）：能被逻辑器件判断为逻辑“高”的最小的输入电压
VIL, Maximum Input Low Level（输入低电平）：能被逻辑器件判断为逻辑“低”的最大的输入电压
Output Voltage（输出电压）
VOH, Output High Voltage Level（输出高电平）：能被逻辑器件判断为逻辑“高”的最小的输出电压
VOL, Output Low Voltage Level（输出低电平）：能被逻辑器件判断为逻辑“低”的最大的输出电压
图11 CMOS逻辑电平（左）/TTL逻辑电平（右）
噪声容限：
高电平噪声容限VNH：
低电平噪声容限VNL：
图12 噪声容限示意图
带负载能力：
门电路的扇入数取决于它的输入端的个数，例如一个3输入端的与非门，其扇入数NI=3。门电路的扇出数是指其在正常工作情况下，所能驱动同类门电路的最大数目(反映了门电路的带负载能力)。
带拉电流负载：
带灌电流负载：
图13 驱动与负载之间的关系
驱动和负载之间应该满足的关系：
VOH ≥ VIH, VOL ≤ VIL
IOH or IOL ≥ I1 + I2 + …… + In
输出延迟时间:
传输延迟时间是表征门电路开关速度的参数，它说明门电路在输入脉冲（波形）的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长时间。
导通延迟时间tPHL: 从输入波形上升沿的中点到输出波形下降沿的中点所经历的时间。
截止延迟时间tPLH: 从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿的中点所经历的时间。
图14 CMOS电路传输延时时间
逻辑门的平均传输延迟时间tpd：
数字电路中时延的主要表现为竞争冒险现象，现代逻辑电路设计需要考虑逻辑器件时延的影响，就应该对其及产生的时序问题进行分析。逻辑电路的延迟本质上是一系列逻辑门电路延迟的叠加。
在交换机选型设计中应考虑逻辑门的输入输出时延的问题时，结合信号速率和应用场景分析，如5MHZ的LED点灯信号，周期为200ns，74LV164（NXP）在3.3V工作状态下tPD为29ns，需要结合CP与Qn，和MR与Qn的建立时间和保持时间去考虑，实测时延。
对于工作在标准模式下的IIC，100KHz的周期为1us，逻辑门电路或者缓冲器的延时一般为2~23ns，则不需要考虑时延的问题。
注：当逻辑器件叠加使用，时延去到同个数量级时，也需要去考虑测试时延。
功耗：
功耗是门电路的重要参数之一。功耗有静态功耗和动态功耗之分。所谓静态功耗指的是当电路的输出没有状态转换时的功耗。CMOS电路在输出发生状态转换时的功耗称为动态功耗。CMOS电路的动态功耗与转换频率和电源电压的平方成正比。当工作频率比较高时，CMOS门的功耗可能会超过TTL电路。在设计CMOS 电路时，尽量选用低电源电压器件，例如3.3V供电电源74LVC系列或1.8V供电电源74AUC系列，以降低功率损耗。
功耗-延时积：
