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SiC MOSFET应用中出现的串扰问题，提出3种有效应用对策

2023-11-16

针对 SiC MOSFET 模块应用中出现的串扰问题。百度网盘 请输入提取码 提取码9dfv 。

本文对测量使用的差分探头进行了详细对比，由结果可知采用高带宽和高采样率的示波器和差分探头可测 量得到准确的信号波形。同时分析了串扰问题的产生 机制，正dVds dt在反向传输电容上产生流向驱动侧的位移电流，在栅极阻抗引起正向感应电压，叠加在栅 源极上会引起栅源极电压抬升；而负dVds dt在反向传 输电容上产生流向模块侧的位移电流，在栅极阻抗引起负向感应电压，造成栅源极出现过大的电压负向峰 值。为解决串扰问题，本文提出了3种有效应用对策： ①减小栅极引线阻抗，从而减小阻抗上的感应压降，抑制栅源极过压；②采用有源米勒箝位技术，泄放位 移电流，有效保护 SiC MOSFET 模块； ③通过三级关 断串扰抑制技术改善栅极驱动波形，有效抑制过大的电压正向抬升和负向电压

 

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