稳压二极管是一种特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，此类二极管杂质浓度比较高，空间电荷区的电荷密度比较大，该区域狭窄，容易形成强电场，当反向电压来临时，反向电流急剧增加，产生反向击穿。
稳压管未工作时，处于反向截止状态；正常工作时，处在反向击穿状态。
稳压二极管通常是工作在反向击穿状态。
稳压管正反向特性曲线
稳压二极管的正向特性和普通二极管差不多。
其反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。
尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。
温度对半导体器件影响较大，所以温度也会影响Vz的值。影响的程度由温度系数衡量，在读数据手册是请注意这一参数值。
下图为稳压二极管的伏安特性曲线
稳压二极管的别称叫齐纳二极管，而齐纳击穿的原理如下：
在较高的反向电压作用下，PN结的空间空间电荷区存在一个很强的电场，它能破坏共价键的束缚，将电子分离出来产生电子空穴对，在电场作用下，电子移向N区，空穴移项P区，从而形成很大的反向电流，这种现象叫做齐纳击穿。
齐纳击穿的条件：必须是半导体器件的杂质浓度很高，杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度大，因而空间电荷区狭窄，电场强度才很高。
齐纳击穿的过程是可逆的，在PN结上加上反向电压减小\降低后，PN结仍可以恢复到原来的状态。但是请注意亲提条件，反向电流和反向电压之积不能超过PN结容许的耗散功率，一旦超过且持续时间较长，将会导致器件损坏，这种就是发生热击穿，热击穿不可逆，注意避免。
（Izk为拐点电流；）
