上面是我的微信和QQ群,欢迎新朋友的加入。
20201203
CPU和DDR已到
20201207
板子到了,开始焊接
20201208
下班继续焊接
发现少了一个料
漏买了,赶紧淘宝补一个
现在就把手上的板子拆了个芯片先用着
焊接完成,测试电源
3.3V差了0.05,1.2V高了0.08
应该影响不会太大
之前说要拍视频的,因为手机不太好录制,缺个手机支架
再就是焊接好像不是很麻烦,几分钟就吹上去了,就没录制视频
EMMC后面再说,先把H3和DDR搞上去
今晚下班,飞线测试能不能启动
20201210
现在是凌晨
昨晚跑的有问题,调整了一下电源部分,之前的电压感觉有点偏大
现在板子跑起来,但是卡在了start kernel
不过不是很担心,芯片起来了,说明电路没问题,估计就是焊接或者固件的问题了
U-Boot SPL 2017.11 (Dec 19 2019 - 16:43:16)
DRAM: 512 MiB(408MHz)
CPU Freq: 408MHz
memory test: 1
Pattern 55aa Writing...Reading...OK
Trying to boot from MMC1
Boot device: sd
U-Boot 2017.11 (Dec 19 2019 - 16:43:16 +0800) Allwinner Technology
CPU: Allwinner H3 (SUN8I 1680)
Model: FriendlyElec NanoPi H3
DRAM: 512 MiB
CPU Freq: 1008MHz
MMC: SUNXI SD/MMC: 0, SUNXI SD/MMC: 1
*** Warning - bad CRC, using default environment
In: serial
Out: serial
Err: serial
Net: No ethernet found.
BOARD: nanopi-neo-core
starting USB...
No controllers found
Hit any key to stop autoboot: 0
reading boot.scr
1478 bytes read in 18 ms (80.1 KiB/s)
## Executing script at 43100000
running boot.scr
reading uEnv.txt
968 bytes read in 20 ms (46.9 KiB/s)
reading zImage
5901592 bytes read in 297 ms (18.9 MiB/s)
reading rootfs.cpio.gz
5880768 bytes read in 310 ms (18.1 MiB/s)
reading sun8i-h3-nanopi-neo-core.dtb
34556 bytes read in 26 ms (1.3 MiB/s)
overlays is empty
reading overlays/sun8i-h3-fixup.scr
4109 bytes read in 35 ms (114.3 KiB/s)
## Executing script at 44500000
## Flattened Device Tree blob at 48000000
Booting using the fdt blob at 0x48000000
Loading Ramdisk to 49a64000, end 49fffbc0 ... OK
reserving fdt memory region: addr=48000000 size=6e000
Loading Device Tree to 499f3000, end 49a63fff ... OK
Starting kernel ...
这是启动过程
明晚继续
20201210
板子跑起来了,但是遇到一个特别怪异的现象,板子必须要加热,才能运行,对着H3加热
20201211
反复插拔发现出现了多次和DDR通信失败的情况
分析这个问题应该和DDR有关系
1.电流变大,说明板子上有个什么东西跑起来了,现在板子就两个芯片,一个H3一个DDR,电流小的时候,要么DDR工作不正常,要么H3工作不正常
2.温度会影响状态,说明温度导致某个参数发生了变化,网上有说虚焊的,热胀冷缩导致虚焊接触更好,感觉这个可能性不是很大,因为我手摸着电路也时不时能让板子起来,30多度的体温能让焊锡热胀冷缩,可能性有点低
3.有影响的应该就两个方面了,要么走线不合理,有干扰存在,不过想想这个可能性应该不高,我手不碰,单独加热是能行的
4.最终分析认为,问题应该在阻抗上面去嘉立创官网查参数
按订单的结果,现在DDR地址和数据走线上阻抗应该在80ohm左右
一般要求DDR数据和地址上是50ohm(±10%).差分是90~100ohm。
很明显阻抗是不合要求的
今晚回去改板子,再来一次