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上篇我们了解了存储器可分为RAM和ROM，根据不同特性也可以逐级细分，并且简单介绍了EEPROM。今天我们讲一讲FLASH有哪几种？
目前常用的FLASH主要有NOR FLASH和NAND FLASH两种
NOR技术（也称Linear技术）源于传统的EEPROM器件，具有高可靠性、随机读取速度快的优势，用于擦除和编程操作较少、直接执行代码的场合，如PC的BIOS固件等。
NOR技术的Flash Memory具有以下特点。
1.程序和数据可存放在同一芯片，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，无须先将代码下载至RAM中再执行。
2.可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或整片擦除，由于采用NOR技术的Flash Memory擦除和编程速度较慢，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。
下面以S29GL128P为例说明，NOR FLASH的引脚定义和设计描述。
S29GL128P电路设计
查阅S29GL128P的Datasheet可知：
1.A25~A0是地址信号输入通道，需与CPU的存储专用地址总线相连
2.DQ15,DQ14~DQ0是数据信号，需要与CPU的存储数据总线相连
3.CE为片选信号
4.OE为输出使能信号
5.WE写使能
6.VCC电源输入引脚
7.VIO通用I/O口的供电引脚，接VCC电源输入端
8.VSS低信号引脚
9.NC为不连接的引脚
10.RY/BY为输出信号，当输出低电平时表示器件在进行写入或擦除工作，当输出高电平时表示器件已准备就绪。11.BYTE为输入信号，用于设置输入数据信号的宽度8bit或16bit
12.WP/ACC为写保护或编程加速控制，当为低电平时为写保护功能，当为高电平时为编程加速，在设计时一般都上拉处理。
13.RFU为保留引脚不连接。
采用NAND技术的Flash Memory的特点
1.NAND FLASH以页为单位进行读和编程操作，1页为256B或512B，因此NAND FLASH不用来直接运行程序，需将代码下载到RAM中再运行。NAND FLASH以块为单位进行擦除操作，1块为4KB、8KB或16KB；具有快编程和快擦除的功能，块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间是几百ms。
2.数据、地址采用同一总线，实现串行读取，随机读取速度慢且不能按字节随机编程。
3.芯片尺寸小，成本低4.芯片包含失效块，其最大数目可达到3~35块取决于存储器密度。失效块不会影响有效块的性能。设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。
从存储单元的角度考虑，NAND FLASH可分为SLC（Single Level Cell，单层单元）和MLC（Multi-Level Cell，多层单元）。SLC的特点是成本高、容量小、速度快，而MLC的特点是容量大、成本低，但是速度慢。MLC由于存储单元中存放资料较多，结构相对复杂，出错的概率增加，必须进行错误修正，这个修正的动作使得MLC的性能大幅落后于SLC闪存。实际使用时，需要根据程序运行的机制及需求选择合适的Flash存储。
下面作者举例了K9F2G08U0C的引脚和电路设计
K9F2G08U0C-S NAND FLASH的电路设计
K9F2G08U0C是Samsung的一款采用SLC架构的2GB NAND FLASH，如上所示为K9F2G08U0C的电路设计：1.I/O[7:0]：数据的输入/输出引脚，输入数据的内容包含命令、地址和数据，当进行读取操作时向外输出数据。
2.CLE：命令加载使能，CLE高电平有效，当写使能有效时，通过I/O[7:0]将命令加载到NAND FLASH。
3.ALE：地址加载使能，CLE高电平有效，当写使能有效时，通过I/O[7:0]将地址加载到NAND FLASH。
4.CE：片选信号，低电平有效，当不片选芯片时，I/O口的逻辑状态为高阻态。
5.RE：读取数据使能，低电平有效。
6.WE：写数据使能，低电平有效。
7.WP：写保护，在电路设计中一般上拉处理。
8.R/B：可以输出两种状态，用于指示芯片工作或禁止状态。
9.VCC/VSS：电源网络/地网络10.NC：没有连接。
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