电路图如下所示
上图M+为5V电源，电机与二极管D3并联。
在调试过程中，PB6输入频率为15.268KHz、占空比36.17%为PWM信号（既周期为64uS，高电平为17uS）。PWM信号如下图所示
经过R12后三极管基极的波形如下图所示
高电平的持续时间编程了22us,占空比发生了变化，初步确定是BE之间的等效电容充放影响的，当基极的控制信号由高电平变为低电平，B极放电速度较慢，由下图方框的波形可知，大概有一个5Us的斜坡信号，此处就是三极管在慢速放电。
为了减少放电时间，我在网上找到了几种方法
（0）在R12电阻并联一个肖特基二极管。
（1） 用更快NPN三极管；
（2） 加大R12电阻。再从三极管基极接个电阻到GND。使Q2在输入5V高电平时，Q2处于浅饱和状态；
（3） 三极管b、c极并联肖特基二极管；
（4） R12电阻并联一个100pF~1000pF的电容
首先验证第一种方法（0）在R12电阻并联一个肖特基二极管，通过示波器测试基极的波形，发现过电平持续时间为18us,比原来的22us减少了4us，测试结果如下图所示，说明此方法可行。
然后验证第三种方法 （2） 加大R12电阻。再从三极管基极接个电阻到GND。使Q2在输入5V高电平时，Q2处于浅饱和状态；我并没有改变R12的阻值，只是在基极和地之间焊接了一个75Ω的电阻，发现高电平也缩短为18us，方法可行。
然后验证第四种方法（3） 三极管b、c极并联肖特基二极管；实验发现该方法的效果优于前面的方法。
最后验证（4） R12电阻并联一个100pF~1000pF的电容，如果焊接1000PF的电容，基极的波形没有改善。然后改成33nf电容，不同的三极管有不同的表现，性能好的三极管的基极波形入下图所示
性能差的三极管基极波形如下图所示
与R12并联一个适当的电容，该电容可以很好的吸收掉基极结电容的残余电量，可以很好的改善三极管关断的时间，但是不同性能的三极管对电容的要求不同，并且会向单片机引脚灌入电流。
通过实验发现在BC之间并联一个肖特基二极管效果最好。
