【数电】理解MOS管的Vth(增强型)

2023-11-12

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其实就是,对NMOS来说,栅极底下是P型半导体,有空穴和B-离子,栅衬之间加电压,电子往栅极底下跑,与空穴复合,此时形成耗尽层(虽然因为B-离子的原因带负电,但无法自由移动);当电压超过Vth,多余电子来到栅极底下,可自由移动,形成沟道。

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