S级：两线相交
G级：不解释
D级：单独引线边
箭头指向G极为N沟道，背向G极为P沟道。
N沟道，S指向D。
P沟道，D指向S。
小技巧：中间箭头方向与二极管方向一致
总结
多少伏导通
NMOS：导通电阻小，发热低，允许通过电流大，型号多，成本低。
常用于正激，反激，推挽，半桥，全桥等拓扑电路。
PMOS：型号少，成本高。
常用于电源开关电路。
极限电压：Vgs，Vds。
驱动电压：Vgs，尽量越大越好，越大导通电阻Rds(on)越小。
栅极导通电压VGS(th)：MOS管开启电压。
Id要大于尖峰电流。通常，尺寸越大，导通电阻Rds(on)越小，允许的Id越大。
Id还与Vgs，Vds有关。电压越大，电流越大，以SI2323为例(外壳温度Tc，环境温度Ta)：
随着MOS管温度的升高，Rds(on)也会变大。MOS管的功率，导通损耗的公式：
Ptron=I2*Rdson。
以SI2323为例：
寄生电容越小，开关速率越好。常见有三个，以SI2323为例：
MOS管工作温度，不能大于结温的90%，否则要加散热片。其他还有，外壳温度Tc，环境温度Ta，PCB温度Tpcb。
上面是结温，下面是到引脚温度，以SI2323为例：
PMOS型号：SI2323DS-T1；XP162A12A6PR-G；AO3407；ADO4185；
NMOS型号：Si2302DDS；
辨认P,N
原理
辨认MOS管是好是坏
选材自https://wenku.baidu.com/view/b7b674ce08a1284ac850436e.html
